销量分析 红旗碳化硅功率芯片完成初次流片 采取低导通电阻元胞结构

易车讯 日前，由红旗研发总院新动力设备院功率电子设备部自主策画的碳化硅功率芯片完成初次流片。象征着红旗研发已初步成立维持高性能电动汽车设备的碳化硅功率芯片策画才气，并得胜将半导体行业的Fabless(无晶圆厂)结及格式引入汽车居品设备膨大。

据先容，该款碳化硅功率芯片从居品中枢主义界说、衬底与外延材料选拔、元胞结构策画、动静态性能仿真、工艺仿真、幅员策画、晶圆流片到晶圆封测，达周密链条主导设备，象征着红旗车规级碳化硅功率芯片设备才气大幅进步。

该款芯片聚焦整车电启动、贤达补能、车载电源、高压配电、电动化底盘等系统诈欺需求，转换采取低导通电阻元胞结构、高元胞密度幅员、高可靠性末端结构及片上栅极电阻集成手艺，达成击穿电压跳跃1200V，导通电阻小于15mΩ。